一般來(lái)講，清洗/蝕刻意思是去除產(chǎn)生干擾的材料。清洗效果的兩個(gè)實(shí)例是去除氧化物以提高釬焊質(zhì)量和去除金屬、陶瓷、及塑料表面有機(jī)污染物以改善粘接性能，這是因?yàn)椴ＡА⑻沾珊退芰希ㄈ缇郾?/span>PTFE等）基本上是沒(méi)有極性的，因此這些材料在進(jìn)行粘合、油漆和涂覆之前要進(jìn)行表面活化處理。等離子體初應(yīng)用于硅片及混裝電路的清洗以提高鍵接引線和釬焊的可靠性。如:去除半導(dǎo)體表面的有機(jī)污染以保證良好的焊點(diǎn)連接、引線鍵合和金屬化,以及PCB、混裝電路 MCMS（多芯片組裝）混裝電路中來(lái)自鍵接表面由上一工序留下的有機(jī)污染，如殘余焊劑、多余的樹(shù)脂等。清洗的各種例子不勝枚舉。在諸如此類的應(yīng)用中我們將列舉一些典型的等離子體清洗工藝。
1 蝕刻工藝
　　某種程度來(lái)講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶可以移去架子來(lái)配置合適的等到離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。 所謂直接等離子體，亦稱作反應(yīng)離子蝕刻，是等離子的一種直接浸蝕形式。它的主要優(yōu)勢(shì)是高的蝕刻率和高的均勻性。直接等離子體具有較低浸蝕但工件卻暴露在射線區(qū)。順流等離子是種較弱的工藝，它適合去除厚為10-50埃的薄層。在射線區(qū)或等離子中，人們擔(dān)心工件受到損壞，目前，這種擔(dān)心還沒(méi)有證據(jù)，看來(lái)只有在重復(fù)的高射線區(qū)和延長(zhǎng)處理時(shí)間到60-120分鐘才可能發(fā)生，正常情況下，這樣的條件只在大的薄片及不是短時(shí)的清洗中。
2 在引線的鍵合中
　　在等離子清洗的工裝設(shè)計(jì)采用一些特殊結(jié)構(gòu)可以滿足用戶每小時(shí)清洗500到1000個(gè)引線框的要求。這種工藝對(duì)COB’S（裸芯片封裝）或其它的封裝都采用相同的工藝條件便能提供給用戶一種簡(jiǎn)單而有效的清洗。板上芯片連接技術(shù)（DCA）中，無(wú)論是焊線芯片工藝、倒裝芯片、卷帶自動(dòng)結(jié)合技術(shù)中，整個(gè)芯片封裝工藝中，等離子清洗工藝都將作為一種關(guān)鍵技術(shù)存在。對(duì)整個(gè)IC封裝的可靠性產(chǎn)生重要影響。
以COB’S為例：
芯片粘接（Die bonding）-固化（Cure）-等離子清洗（Plasma cleaning）-線焊（Wire bond）-包裝-固化
3 BGA封裝工藝
　　在BGA工藝中，對(duì)表面清潔和處理都是非常嚴(yán)格的，焊球與基板的連接要求一個(gè)潔凈表面以保證焊接的一致性和可靠性。等離子體處理它可以保證*跡，BGA焊盤(pán)要求等離子處理來(lái)確保良好的粘接性能，并且，已有批量和在線式的清洗工藝。
4 混裝電路
　　混裝電路出現(xiàn)的問(wèn)題是引線與表面的虛接，這主要?dú)w因于電路表面的焊劑、光刻膠及其它一些殘留物質(zhì)。針對(duì)這種清洗，要用到氬的等離子體清洗，氬等離子體可以去除錫的氧化物或金屬，從而改變電性能，此外，鍵接前的氬等離子體還用于清洗金屬化、芯片粘接和后封裝前的鋁基板。
5 硬盤(pán)
　　用等離子清洗來(lái)去除由上一步濺鍍工藝留下的殘余物，同時(shí)基材表面經(jīng)過(guò)處理，對(duì)改變基材的潤(rùn)濕性，減小摩擦，很有好處。
6 去除光致抗蝕劑
　　在晶片制造工藝中，使用氧等離子體去除晶片表面抗蝕劑（photoresist）。干式工藝*的缺點(diǎn)是等離子體區(qū)的活性粒子可能會(huì)對(duì)一些電敏感性的設(shè)備造成損害。為了解決這一問(wèn)題，人們發(fā)展了幾種工藝，其一是用一個(gè)法拉第裝置以隔離轟擊晶片表面和電子和離子；另一種方法是將清洗蝕刻對(duì)象置于活性等離子區(qū)之外。（順流等離子清洗）蝕刻率因電壓，氣壓以及膠的量而定，典型的刻蝕率為每分鐘1000埃，正常需要10 分鐘時(shí)間。
7 液晶顯示器生產(chǎn)中的清洗：
　　在液晶清洗中的干式清洗，使用的活化氣體是氧的等離子體，它能除去油性污垢和臟物粒子，因?yàn)檠醯入x子體可將有機(jī)物氧化，形成氣體排出。它的*問(wèn)題是需要在去除粒子后加入一個(gè)除靜電裝置清洗工藝如下：
研磨---吹氣----氧等離子體----除靜電
　　通過(guò)干式洗凈工藝后的電子與顯示器，增強(qiáng)了偏光板粘貼的成品率，并且電與導(dǎo)電膜間的粘附性也大大改善。
8 精密零件清洗：
　　在經(jīng)過(guò)機(jī)械加工的零件表面主要?dú)埩粑餅橛皖愇廴荆捎?/span>O2等離子體去除會(huì)特別有效。